IEC 63275-1-2022 PDF
Name in English:
St IEC 63275-1-2022
Name in Russian:
Ст IEC 63275-1-2022
Description in English:
Semiconductor devices - Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconductor field effect transistors - Part 1- Test method for bias temperature instability. IEC 63275-1:2022-04(en-fr). Original standard IEC 63275-1-2022 in PDF full version. Additional info + preview on request
Description in Russian:
Полупроводниковые приборы - Метод испытания надежности дискретных металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов из карбида кремния - Часть 1- Метод испытания нестабильности температуры смещения. IEC 63275-1:2022-04(en-fr). Оригинальный стандарт IEC 63275-1-2022 в PDF полная версия. Дополнительная инфо + превью по запросу
Document status:
Active
Format:
Electronic (PDF)
Page count:
30
Delivery time (for English version):
1 business day
Delivery time (for Russian version):
3 business days
SKU:
stiec08072
More technical details are being prepared for this document.