IEC 63275-2-2022 PDF
Name in English:
St IEC 63275-2-2022
Name in Russian:
Ст IEC 63275-2-2022
Description in English:
Semiconductor devices - Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconductor field effect transistors - Part 2- Test method for bipolar degradation due to body diode operation. IEC 63275-2:2022-05(en-fr). Original standard IEC 63275-2-2022 in PDF full version. Additional info + preview on request
Description in Russian:
Полупроводниковые приборы - Метод испытания надежности дискретных металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов из карбида кремния - Часть 2- Метод испытания биполярной деградации из-за работы основного диода. IEC 63275-2:2022-05(en-fr). Оригинальный стандарт IEC 63275-2-2022 в PDF полная версия. Дополнительная инфо + превью по запросу
Document status:
Active
Format:
Electronic (PDF)
Page count:
24
Delivery time (for English version):
1 business day
Delivery time (for Russian version):
3 business days
SKU:
stiec08073
More technical details are being prepared for this document.